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IEEE 802.3af PD Interface and PWM Controllers
with Integrated Power MOSFETs
_______________________________________________________________________________________   7
DETECTION CURRENT
vs. INPUT VOLTAGEo
INPUT VOLTAGE V
8
6
4
2
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0
10
R
DISC
 = 25.5k&
I
IN
 + I
RDISC
CLASSIFICATION CURRENT
vs. INPUT VOLTAGE
INPUT VOLTAGE (V)
25
20
15
10
5
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0
30
CLASS 4
CLASS 3
CLASS 2
CLASS 1
CLASS 0
EFFECTIVE DIFFERENTIAL INPUT
RESISTANCE vs. INPUT CURRENT
INPUT VOLTAGE (V)
8
6
4
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
0
10
INPUT OFFSET CURRENT
vs. INPUT VOLTAGE
INPUT VOLTAGE (V)
8
6
2
4
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
-4.0
0
10
NORMALIZED UVLO
vs. TEMPERATURE
TEMPERATURE (癈)
100
75
50
25
0.992
0.994
0.996
0.998
1.000
1.002
1.004
1.006
1.008
1.010
0.990
0
125
PGOOD OUTPUT LOW VOLTAGE
vs. CURRENT
I
SINK
 (mA)
15
10
5
50
100
150
200
250
0
0
20
OUT LEAKAGE CURRENT
vs. TEMPERATURE
TEMPERATURE (癈)
100
75
50
25
1
10
100
1000
0.1
0
125
V
OUT
 = 48V
INRUSH CURRENT CONTROL
(V
IN
 = 48V)
MAX5953A/B/C/D toc08
4ms/div
V
OUT
 TO
V
EE
50V/div
V
GATE
5V/div
0V
0V
0A
0V
I
INRUSH
100mA/div
PGOOD
50V/div
DCUVLO THRESHOLD
vs. TEMPERATURE
TEMPERATURE (癈)
100
75
50
25
1.2750
1.2775
1.2800
1.2825
1.2725
0
125
DCUVLO RISING
Typical Operating Characteristics
(V
IN
= (V+ - V
EE
) = 48V, GATE = PGOOD = unconnected, GND connected to OUT, HVIN connected to V+, UVLO = V
EE
, C
INBIAS
= 1礔,
C
REGOUT
= 2.2礔, R
RTCT
= 25k&, C
RTCT
= 100pF, C
BST
= 0.22礔, T
J
= 0癈 to +125癈, unless otherwise noted. Typical values are
at T
J
= +25癈. All voltages are referenced to V
EE
, unless otherwise noted.)
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